摘 要：鎖相環(huán)技術(shù)不斷的改進和趨于成熟，被運用于各項電子和通訊設(shè)備中，壓控振蕩器作為其中的重要模塊，品質(zhì)因素將直接影響鎖相環(huán)的性能。本文基于 0.18μm CMOS 工藝，簡單介紹了壓控振蕩器的原理，壓控振蕩器的各項性能指標，詳細敘述了環(huán)形壓控

振蕩器地三個性能條件，設(shè)計出了一種輸出頻率調(diào)諧范圍較大的環(huán)形壓控振蕩器(VCO)。在本設(shè)計中，采用交叉耦合延遲單元的結(jié)構(gòu),形成了首尾相接的 4 級差分延時單元。在使

Cadence 公司的軟件進行仿真分析，形成測試電路。控制電壓范圍 1-2.5V，輸出頻率范圍是 1.50MHz-2.85GHz。在此頻率范圍內(nèi)，環(huán)形振蕩器完成滿擺幅的工作，輸出頻率和控制電壓呈線性變化。

關(guān)鍵詞：環(huán)形壓控振蕩器，四級延時單元，相位噪聲

目錄

摘要

Abstract

1緒論 .5

2振蕩器簡介 .5

2.1壓控振蕩器特性曲線 .6

2.2環(huán)形壓控振蕩器原理 .7

2.3壓控振蕩器各項性能指標 .9

2.4LC 振蕩器對比 .10

3環(huán)形壓控振蕩器電路設(shè)計 11

3.1振蕩器級數(shù)的選取 11

3.2偏置電路設(shè)計 12

3.3振蕩器電路設(shè)計 13

4仿真結(jié)果 16

4.1系統(tǒng)電路仿真 16

4.2時域波形 18

4.3性能仿真 19

結(jié)論 21

參考文獻 22

致謝 23