摘要：離子濺射過程中的反射主要是由于入射粒子在能量作用下，轟擊靶材料表面之后，會有一部分的離子入射到靶材料內部，而另一部分離子會反射出去，如此反復，最終未能入射的那部分離子所占的比例就是反射率。反射率受到多種條件的影響，針對離子濺射過程中反射率特性的研究，我們要選取不同入射離子、靶材料以及不同的入射角度和能量，通過SRIM軟件進行模擬，并結合磁約束核聚變和半導體應用的研究背景進行分析。在核聚變反應中，第一壁材料為鎢，而反應過程中，由于氫離子和氦離子產生的氫氣泡和氦氣泡會危害材料的使用壽命，所以本次實驗選取的入射離子為氫、氦離子，靶材料之一為鎢；又因為硅作為優異的半導體材料，發展迅猛，為了進一步研究硅的物理性質，我們選取硅作為第二張靶材料。經模擬和對數據的分析，相比于入射角度，能量對反射率的影響更大，反射率隨能量的增大而大幅度降低，隨入射角度的減小而降低。

關鍵詞：反射率；半導體；離子濺射

目錄

摘要

Abstract

1 緒論-1

1.1 離子濺射介紹-1

1.1.1離子濺射研究背景及應用-2

1.1.2 濺射基本原理-3

2 實驗方法及原理-5

2.1 蒙特·卡羅方法-5

2.1.1蒙特·卡羅方法概述-5

2.1.2 基本原理-5

2.1.3 蒙特·卡羅方法優點-5

2.2 SRIM軟件-6

2.3 1stOpt軟件-7

2.4 Origin軟件-8

3 離子濺射過程的反射率特性研究-9

3.1 研究內容-9

3.2 模擬過程-10

3.3 模擬結果與分析-14

結    論-18

參 考 文 獻-19

致    謝-20