摘要：由于ITO 薄膜同時具有低電阻以及高透光率的特性，決定了其在LED芯片的制造中作為電流擴展層成為了不可或缺的組成部分。本論文通過改變ITO沉積時的氧氣流量來改善LED的亮度與電壓。此次實驗時所使用的ITO沉積工藝為Sputter(濺鍍)沉積。本實驗在DC power為260W的條件下實驗，在氧氣流量為0.4sccm時，最終體現ITO薄膜的性能在氬氣流量在30 sccm到60 sccm的區間中，隨著氬氣流量的增加，ITO薄膜的電阻增加，穿透率降低。在氬氣流量為40 sccm時，氧氣流量為0.3 sccm到0.6 sccm時，ITO薄膜的電阻隨著氧氣流量的增加而降低，在改變制造LED芯片的ITO薄膜沉積氧氣流量的實驗中，最終結果為沉積時氧氣溶度為0sccm時工作電壓最低,濃度為0.4sccm時電壓最高,工作亮度為氧氣濃度為0.4sccm時亮度最高,氧氣濃度為0sccm時亮度最低。

關鍵詞:ITO沉積；LED性能；氧氣濃度；光電性能

目錄

摘要

Abstract

1 引言-1

1.1 LED介紹-1

1.1.1 LED簡介-1

1.1.2 ITO薄膜在LED芯片中的應用-2

1.1.3 LED生產流程-3

1.2 ITO介紹及應用-4

1.2.1 ITO薄膜簡介-4

1.2.2 ITO薄膜在各行業的應用-5

1.3 ITO沉積原理-5

1.3.1 Sputter沉積原理-5

1.3.2真空蒸發沉積原理-7

2 實驗內容-9

2.1 ITO沉積設備-9

2.2 ITO沉積工藝流程-10

2.3 測量設備-11

2.3.1 電阻測量設備-11

2.3.2 穿透率測量設備-12

2.3.3 ITO薄膜厚度測量-12

3 實驗結果與討論-14

3.1 更改氬氣流量對ITO薄膜性能的影響-14

3.1.1 ITO薄膜厚度的影響-14

3.1.2 ITO薄膜電阻的影響-15

3.1.3 ITO穿透率的影響-15

3.2 更改氧氣流量對ITO薄膜性能的影響-16

3.2.1 ITO薄膜厚度的影響-16

3.2.2 ITO薄膜電阻的影響-17

3.2.3 ITO薄膜穿透率的影響-17

3.3 更改ITO沉積時氧氣流量對LED芯片的性能的影響-18

3.3.1 ITO沉積氧氣流量與LED工作電壓的關系-20

3.3.2 ITO沉積氧氣流量與LED工作亮度的關系-20

結    論-22

參 考 文 獻-23

致    謝-24